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MX29LV160DBTI-70G 闪存芯片 封装TSOP48 蓝信伟业
MX29LV160DBTI-70G 闪存芯片 封装TSOP48 蓝信伟业
MX29LV160DBTI-70G    闪存芯片     封装TSOP48   蓝信伟业
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MX29LV160DBTI-70G    闪存芯片     封装TSOP48   蓝信伟业
 
 
特征：
支持字节 / 字两种数据宽度切换，可配置为 2M×8bit 或者 1M×16bit；采用 3V 低电压单电源供电，待机功耗极低，待机电流仅 5μA；具备扇区硬件保护、临时解锁功能，支持加速编程模式，同时兼容 CFI 通用闪存接口，方便 MCU 识别读取。擦写循环寿命可达 10 万次，数据保存年限最长 20 年，非对称扇区架构，适配固件分区存储，湿气敏感性等级 MSL3（168 小时）。
 
 
说明：
MX29LV160DBTI-70G 属于 MX29LV 系列并行 NOR 闪存，型号后缀 70G 代表 70ns 存取时间，G 代表无铅环保版本。并行 NOR 可以像内存一样直接随机读取，多用于存放启动固件、Bootloader 程序。芯片出厂所有扇区默认未保护，可通过 WP 引脚锁定引导扇区，防止程序被误擦除，广泛用于传统嵌入式开发板方案，是工业设备常用的程序存储器件。
 
参数：
- 存储容量：16Mbit（2MB）
- 工作电压：2.7V ~ 3.6V
- 存取时间：70ns
- 工作温度：-40℃ ~ +85℃
- 擦写寿命：100,000 次
- 数据保存：20 年
- 接口：并行地址数据总线
 
应用场景：
嵌入式开发板、工控主板、路由器、工业仪表、网络设备，用于存储 Boot 启动程序、系统固件、参数配置；老式 ARM 平台（如 S3C2440）的标配 NOR Flash，汽车电子、安防设备固件存储等场景。
 
MX29LV160DBTI-70G    闪存芯片     封装TSOP48   蓝信伟业
 
 
特征：
支持字节 / 字两种数据宽度切换，可配置为 2M×8bit 或者 1M×16bit；采用 3V 低电压单电源供电，待机功耗极低，待机电流仅 5μA；具备扇区硬件保护、临时解锁功能，支持加速编程模式，同时兼容 CFI 通用闪存接口，方便 MCU 识别读取。擦写循环寿命可达 10 万次，数据保存年限最长 20 年，非对称扇区架构，适配固件分区存储，湿气敏感性等级 MSL3（168 小时）。
 
 
说明：
MX29LV160DBTI-70G 属于 MX29LV 系列并行 NOR 闪存，型号后缀 70G 代表 70ns 存取时间，G 代表无铅环保版本。并行 NOR 可以像内存一样直接随机读取，多用于存放启动固件、Bootloader 程序。芯片出厂所有扇区默认未保护，可通过 WP 引脚锁定引导扇区，防止程序被误擦除，广泛用于传统嵌入式开发板方案，是工业设备常用的程序存储器件。
 
参数：
- 存储容量：16Mbit（2MB）
- 工作电压：2.7V ~ 3.6V
- 存取时间：70ns
- 工作温度：-40℃ ~ +85℃
- 擦写寿命：100,000 次
- 数据保存：20 年
- 接口：并行地址数据总线
 
应用场景：
嵌入式开发板、工控主板、路由器、工业仪表、网络设备，用于存储 Boot 启动程序、系统固件、参数配置；老式 ARM 平台（如 S3C2440）的标配 NOR Flash，汽车电子、安防设备固件存储等场景。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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