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SN74LVC1G08DCRR 低功耗单路
SN74LVC1G08DCRR 低功耗单路
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SN74LVC1G08DCRR特征：
●采用具有 0.5mm 间距的超小型 0.64mm2 封装 (DPW)
●低静态功耗：
ICC = 0.9μA（最大值）
●低动态功耗：
电压为 3.3V 时，Cpd = 4.3pF（典型值）
●低输入电容：Ci = 1.5pF（典型值）
●低噪声：过冲和下冲
< VCC 的 10%
●Ioff 支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护
●施密特触发操作可在输入端实现慢速输入转换和更佳的开关噪声抗扰度（Vhys=250mV，这是 3.3V 时的典型值）
●0.8V 至 3.6V 的宽工作 VCC 范围
●针对 3.3V 运行进行了优化
●3.6V 耐压 I/O 支持混合模式的信号操作
●3.3V 时，tpd = 4.3ns（最大值）
●适用于点到点应用
●闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
●ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
2000V 人体放电模型
（A114-B，II 类）
1000V 充电器件模型 (C101)
 
SN74LVC1G08DCRR特征：
●采用具有 0.5mm 间距的超小型 0.64mm2 封装 (DPW)
●低静态功耗：
ICC = 0.9μA（最大值）
●低动态功耗：
电压为 3.3V 时，Cpd = 4.3pF（典型值）
●低输入电容：Ci = 1.5pF（典型值）
●低噪声：过冲和下冲
< VCC 的 10%
●Ioff 支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护
●施密特触发操作可在输入端实现慢速输入转换和更佳的开关噪声抗扰度（Vhys=250mV，这是 3.3V 时的典型值）
●0.8V 至 3.6V 的宽工作 VCC 范围
●针对 3.3V 运行进行了优化
●3.6V 耐压 I/O 支持混合模式的信号操作
●3.3V 时，tpd = 4.3ns（最大值）
●适用于点到点应用
●闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
●ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
2000V 人体放电模型
（A114-B，II 类）
1000V 充电器件模型 (C101)
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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