漏极电流, Id 最大值:280mA

电压, Vds 最大:60V

开态电阻, Rds(on):5ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:2.1V

功耗:0.2W

工作温度范围:-55to 150

封装类型:SOT-23

针脚数:3

SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

SMD标号:702

功率, Pd:0.2W

外宽:3.05mm

外部深度:2.5mm

外部长度/高度:1.12mm

封装类型:SOT-23

带子宽度:8mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:60V

电流, Id 连续:0.115A

电流, Idm 脉冲:0.8A

表面安装器件:表面安装

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V

阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

英文描述：200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

封装：SOT-23, 3 PIN

漏极电流, Id 最大值:280mA

电压, Vds 最大:60V

开态电阻, Rds(on):5ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:2.1V

功耗:0.2W

工作温度范围:-55to 150

封装类型:SOT-23

针脚数:3

SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

SMD标号:702

功率, Pd:0.2W

外宽:3.05mm

外部深度:2.5mm

外部长度/高度:1.12mm

封装类型:SOT-23

带子宽度:8mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:60V

电流, Id 连续:0.115A

电流, Idm 脉冲:0.8A

表面安装器件:表面安装

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V

阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

英文描述：200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

封装：SOT-23, 3 PIN