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SM8958AC25PP 推出的功率MOSFET DIP40 蓝信伟业
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SM8958AC25PP特征：
N 沟道增强型 MOSFET，低导通电阻、高耐压、快速开关特性，适合大电流开关应用，采用 TO-220 封装。
 
SM8958AC25PP概述
新茂推出的功率MOSFET，专为低损耗、大电流开关设计，适合电源转换和电机驱动。
 
SM8958AC25PP参数
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：18A（25℃）
导通电阻（RDS (on)）：≤8mΩ（VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：35nC
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装：TO-220
 
应用场景：
▲C-DC 转换器、开关电源、电机驱动（如直流电机、步进电机）、电池保护板、负载开关等。
 
SM8958AC25PP特征：
N 沟道增强型 MOSFET，低导通电阻、高耐压、快速开关特性，适合大电流开关应用，采用 TO-220 封装。
 
SM8958AC25PP概述
新茂推出的功率MOSFET，专为低损耗、大电流开关设计，适合电源转换和电机驱动。
 
SM8958AC25PP参数
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：18A（25℃）
导通电阻（RDS (on)）：≤8mΩ（VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：35nC
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装：TO-220
 
应用场景：
▲C-DC 转换器、开关电源、电机驱动（如直流电机、步进电机）、电池保护板、负载开关等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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