NJG1655ME7-TE1 射频开关 封装QFN18 蓝信伟业
NJG1655ME7-TE1 射频开关 封装QFN18 蓝信伟业
NJG1655ME7-TE1
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NJG1655ME7-TE1    射频开关     封装QFN18   蓝信伟业
 
特征:
●低插入损耗:1GHz 典型 0.4dB、2GHz 典型 0.45dB,射频信号衰减小
●线性功率 P-1dB=23dBm,满足手机、物联网中等功率射频通路需求
●单电源 1.8V 低压供电,适配便携设备低功耗系统
●内置串行控制逻辑,少量 GPIO 即可完成 12 路通道选通,节省主控 IO 资源
●集成片上 ESD 防护,提升整机静电可靠性
●工业级宽温工作,无铅环保,符合 RoHS
 
 
说明:
DP6T 双路六选一射频开关(2 组公共端,每组独立 6 路射频通道切换)。GaAs FET 工艺,单电源低压控制,内置逻辑译码,无需外部驱动电路
 
 
参数:
●工作电压 Vdd:1.6V ~ 2.0V(典型 1.8V)
●静态工作电流:≤1.2mA
●控制接口:3bit 串行逻辑控制,单组 6 通道选通
●工作温度:-40℃ ~ +85℃
●ESD 防护:HBM ±2kV(射频端口)
 
应用场景:
● 智能手机 / 平板
●物联网无线模块
●消费类无线设备
●工业测试仪器
●车载通信终端
 
 
NJG1655ME7-TE1    射频开关     封装QFN18   蓝信伟业
 
特征:
●低插入损耗:1GHz 典型 0.4dB、2GHz 典型 0.45dB,射频信号衰减小
●线性功率 P-1dB=23dBm,满足手机、物联网中等功率射频通路需求
●单电源 1.8V 低压供电,适配便携设备低功耗系统
●内置串行控制逻辑,少量 GPIO 即可完成 12 路通道选通,节省主控 IO 资源
●集成片上 ESD 防护,提升整机静电可靠性
●工业级宽温工作,无铅环保,符合 RoHS
 
 
说明:
DP6T 双路六选一射频开关(2 组公共端,每组独立 6 路射频通道切换)。GaAs FET 工艺,单电源低压控制,内置逻辑译码,无需外部驱动电路
 
 
参数:
●工作电压 Vdd:1.6V ~ 2.0V(典型 1.8V)
●静态工作电流:≤1.2mA
●控制接口:3bit 串行逻辑控制,单组 6 通道选通
●工作温度:-40℃ ~ +85℃
●ESD 防护:HBM ±2kV(射频端口)
 
应用场景:
● 智能手机 / 平板
●物联网无线模块
●消费类无线设备
●工业测试仪器
●车载通信终端
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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