SM8954AC25P 高效能同步整流功率开关器件 DIP40 蓝信伟业
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SM8954AC25P特征:
N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力和快速开关特性,栅极击穿电压高,封装环保。
 
SM8954AC25P概述
是深圳森美半导体生产的高效能同步整流功率开关器件,采用先进的半导体技术和封装技术,能在高功率条件下稳定运行。
 
SM8954AC25P参数
最大漏源电压(Vds)为 30V,最大栅源电压(Vgs)为 ±20V,最大连续漏极电流(Id)为 10A(在 25°C 下),导通电阻(Rds_on)≤8.5mΩ(在 Vgs=10V),功率耗散(Pd)为 50W,工作温度范围为 - 55°C 至 + 150°C,封装形式为 TO-252(DPAK)或 TO-220。
 
应用场景:
▲广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电池充电器和管理系统、电机驱动电路等电源管理领域。
 
SM8954AC25P特征:
N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力和快速开关特性,栅极击穿电压高,封装环保。
 
SM8954AC25P概述
是深圳森美半导体生产的高效能同步整流功率开关器件,采用先进的半导体技术和封装技术,能在高功率条件下稳定运行。
 
SM8954AC25P参数
最大漏源电压(Vds)为 30V,最大栅源电压(Vgs)为 ±20V,最大连续漏极电流(Id)为 10A(在 25°C 下),导通电阻(Rds_on)≤8.5mΩ(在 Vgs=10V),功率耗散(Pd)为 50W,工作温度范围为 - 55°C 至 + 150°C,封装形式为 TO-252(DPAK)或 TO-220。
 
应用场景:
▲广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电池充电器和管理系统、电机驱动电路等电源管理领域。
 
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传真:+86-0755-83687442
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联系QQ:800007218
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