STP11NK50ZFP N沟道500 V、0.48 Ohm典型值、10 A SuperMESH功率MOSFET,TO-220FP封装
STP11NK50ZFP N沟道500 V、0.48 Ohm典型值、10 A SuperMESH功率MOSFET,TO-220FP封装
超级MESH™ 该系列是通过对ST公司已建立的基于条带的PowerMESH进行极端优化而获得的™ 布局除了显著降低电阻外,还应特别注意确保在最苛刻的应用中具有良好的dv/dt性能。
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STP11NK50ZFP特征
●极高的dv/dt能力
●栅极电荷最小化
●100%雪崩测试
●非常低的固有电容
 
STP11NK50ZFP说明
超级MESH™ 该系列是通过对ST公司已建立的基于条带的PowerMESH进行极端优化而获得的™ 布局除了显著降低电阻外,还应特别注意确保在最苛刻的应用中具有良好的dv/dt性能。
 
 
 
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