IS62WV1288BLL-55TLI 超低功耗CMOS静态RAM
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IS62WV1288BLL-55TLI特征:
●高速存取时间:45纳秒、55纳秒、70纳秒
●CMOS低功耗工作模式:
30 mW(典型值)运行
15 μW(典型值)CMOS待机模式
●TTL兼容接口电平
●单电源:
1.65伏-2.2伏VDD(62WV1288ALL)
2.5V - 3.6V VDD(62WV1288BLL)
●完全静态操作:无时钟或刷新需要
●三态输出
●可用工业温度
●无铅可用
 
IS62WV1288BLL-55TLI特征:
●高速存取时间:45纳秒、55纳秒、70纳秒
●CMOS低功耗工作模式:
30 mW(典型值)运行
15 μW(典型值)CMOS待机模式
●TTL兼容接口电平
●单电源:
1.65伏-2.2伏VDD(62WV1288ALL)
2.5V - 3.6V VDD(62WV1288BLL)
●完全静态操作:无时钟或刷新需要
●三态输出
●可用工业温度
●无铅可用
 
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