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TK150E09NE 硅 N沟道MOSFET TO220 蓝信伟业
TK150E09NE 硅 N沟道MOSFET TO220 蓝信伟业
TK150E09NE 硅 N沟道MOSFET TO220 蓝信伟业
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TK150E09NE特征：
是东芝的硅 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220AB 封装。
 
TK150E09NE概述
TK150E09NE 是一种增强型 MOSFET，具有低漏源导通电阻和低漏电流的特点。
 
TK150E09NE参数
漏源导通电阻典型值为 3.6mΩ（VGS=10V），漏电流最大 10μA（VDS=85V），阈值电压为 2.5V 至 4.5V（VDS=10V，ID=1.0mA）。
 
应用场景：
▲可用于电源转换、电机驱动等电路中。
 
TK150E09NE特征：
是东芝的硅 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220AB 封装。
 
TK150E09NE概述
TK150E09NE 是一种增强型 MOSFET，具有低漏源导通电阻和低漏电流的特点。
 
TK150E09NE参数
漏源导通电阻典型值为 3.6mΩ（VGS=10V），漏电流最大 10μA（VDS=85V），阈值电压为 2.5V 至 4.5V（VDS=10V，ID=1.0mA）。
 
应用场景：
▲可用于电源转换、电机驱动等电路中。
 
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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