IRF640NPBF 场效应管(MOSFET)
IRF640NPBF 场效应管(MOSFET)
N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
价格: ¥1.000 - ¥2.000
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IRF640NPBF特征
●先进的工艺技术
●动态DV/Dt评级
●175C工作温度
●快速切换
●完全雪崩评级
●平行化的易用性
●简单的驱动器要求
 
IRF640NPBF说明
第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计,为设计者提供了极其高效和可靠的器件,适用于各种应用。TO-220封装在功率损耗水平约为50瓦的所有商业和工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛接受。D2Pak是一种表面贴装电源封装,能够容纳高达HEX-4的晶圆尺寸。它提供任何现有表面贴装封装中最高的功率能力和最低的导通电阻。由于D2Pak的内部连接电阻低,因此适用于高电流应用,并且可以在典型的表面贴装应用中消散高达2.0W的功率。通孔版本(IRF640NL)可用于低剖面应用。
 
 
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