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NJL5902R-1-TE1 双N沟道MOSFET MLP 蓝信伟业
NJL5902R-1-TE1 双N沟道MOSFET MLP 蓝信伟业
NJL5902R-1是紧凑型表面贴装的光反射器，它允许无铅回流焊接（260°C，2次）。与我们传统的产品/NJL5901R-1相比，NJL5902R-1减少到1/6的工作暗电流，结合使用高输出LED和高灵敏度硅光电晶体管，它实现高信噪比。
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NJL5902R-1-TE1（双N沟道MOSFET）

●特征：

●双路N沟道增强型MOSFET，低导通电阻
●高开关速度，低栅极电荷，适合小功率开关应用
●小型贴片封装，两路集成，大幅节省PCB空间
●内置ESD防护，可靠性高，适配便携式设备

●基本参数：
° VDS：20 V
° ID：2 A（max）
° RDS(on)：<50 mΩ@VGS=4.5 V
° 封装：SOT-23-6
° 工作温度：-40℃ ~ +85℃

●概述：
NJL5902R-1-TE1是高集成度双N沟道MOSFET，专为小功率负载开关、电源切换、小型驱动电路设计。芯片开关速度快、导通损耗低，双管集成简化布局，适合电池供电设备与高密度小型化系统。

●应用领域：
●小功率负载开关、电源路径切换
●电池供电设备、便携式电子产品
●LED驱动、小型电机/电磁阀控制
●IoT终端、智能家居控制模块
NJL5902R-1-TE1（双N沟道MOSFET）

●特征：

●双路N沟道增强型MOSFET，低导通电阻
●高开关速度，低栅极电荷，适合小功率开关应用
●小型贴片封装，两路集成，大幅节省PCB空间
●内置ESD防护，可靠性高，适配便携式设备

●基本参数：
° VDS：20 V
° ID：2 A（max）
° RDS(on)：<50 mΩ@VGS=4.5 V
° 封装：SOT-23-6
° 工作温度：-40℃ ~ +85℃

●概述：
NJL5902R-1-TE1是高集成度双N沟道MOSFET，专为小功率负载开关、电源切换、小型驱动电路设计。芯片开关速度快、导通损耗低，双管集成简化布局，适合电池供电设备与高密度小型化系统。

●应用领域：
●小功率负载开关、电源路径切换
●电池供电设备、便携式电子产品
●LED驱动、小型电机/电磁阀控制
●IoT终端、智能家居控制模块
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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