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FDN5618P 60V P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
FDN5618P 60V P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
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FDN5618P特征：
●-1.25A，-60V
ROS(oN)= 0.170ω@ VGs =-10V
ROS(oN)= 0.230ω@ VGs =-4.5V
●快速切换速度
●高性能沟槽技术非常适合低Ros(开)
FDN5618P特征：
●-1.25A，-60V
ROS(oN)= 0.170ω@ VGs =-10V
ROS(oN)= 0.230ω@ VGs =-4.5V
●快速切换速度
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电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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