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DS1220AD-150IND 16k非易失性SRAM
DS1220AD-150IND 16k非易失性SRAM
DS1220AD-150IND  16k非易失性SRAM
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DS1220AD-150IND  的说明
DS1220AB和DS1220AD 16k非易失性SRAM是16384位、全静态、非易失的SRAM，由8位2048个字组成。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，在超出容差的情况下不断监测VCC。当出现这种情况时，锂能源会自动打开，并且无条件启用写保护以防止数据损坏。NV SRAM可以取代现有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字节24引脚DIP标准。这些设备还与2716 EPROM和2816 EEPROM的引脚匹配，允许直接替换，同时提高性能。可以执行的写入周期数没有限制，微处理器接口不需要额外的支持电路。
 
 
 
DS1220AD-150IND  的特征
◆在没有外部电源的情况下，数据保留期至少为10年
◆断电期间自动保护数据
◆直接替换2k x 8易失性静态RAM或EEPROM
◆无限写入周期
◆低功耗CMOS
◆JEDEC标准24引脚DIP封装
◆读写访问时间为100 ns
◆锂能源断电以保持新鲜度，直到首次通电
◆全±10 Vcc工作范围（DS1220AD）
◆可选±5%Vcc工作范围（DS1220AB）
◆可选工业温度范围-40℃至+85℃，指定IND
DS1220AD-150IND  的说明
DS1220AB和DS1220AD 16k非易失性SRAM是16384位、全静态、非易失的SRAM，由8位2048个字组成。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，在超出容差的情况下不断监测VCC。当出现这种情况时，锂能源会自动打开，并且无条件启用写保护以防止数据损坏。NV SRAM可以取代现有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字节24引脚DIP标准。这些设备还与2716 EPROM和2816 EEPROM的引脚匹配，允许直接替换，同时提高性能。可以执行的写入周期数没有限制，微处理器接口不需要额外的支持电路。
 
 
 
DS1220AD-150IND  的特征
◆在没有外部电源的情况下，数据保留期至少为10年
◆断电期间自动保护数据
◆直接替换2k x 8易失性静态RAM或EEPROM
◆无限写入周期
◆低功耗CMOS
◆JEDEC标准24引脚DIP封装
◆读写访问时间为100 ns
◆锂能源断电以保持新鲜度，直到首次通电
◆全±10 Vcc工作范围（DS1220AD）
◆可选±5%Vcc工作范围（DS1220AB）
◆可选工业温度范围-40℃至+85℃，指定IND
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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