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DS1220Y-150 全静态非易失RAM
DS1220Y-150 全静态非易失RAM
DS1220Y-150   全静态非易失RAM
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DS1220Y-150  的说明
DS1220Y 16k非易失性SRAM是一种16384位的全静态非易失RAM，组织为2048个字乘8位。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，用于持续监控VCC是否超出公差条件。当这种情况发生时，锂能源会自动打开，并无条件启用写保护，以防止数据损坏。NV SRAM可以取代现有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字节宽24引脚DIP标准。DS1220Y还与2716 EPROM或2816 EEPROM的引脚匹配，允许直接替换，同时提高性能。对可执行的写入周期的数量没有限制，并且微处理器接口不需要额外的支持电路。
 
 
 
DS1220Y-150  的特征
●在没有外部电源的情况下，至少保留10年数据
●数据在断电期间自动受到保护
●直接取代2k x 8易失性静态RAM或EEPROM
●无限写入周期
●低功耗CMOS
●JEDEC标准24引脚DIP封装
●读写访问时间为100纳秒
●全±10%工作范围
●可选工业温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
DS1220Y-150  的说明
DS1220Y 16k非易失性SRAM是一种16384位的全静态非易失RAM，组织为2048个字乘8位。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，用于持续监控VCC是否超出公差条件。当这种情况发生时，锂能源会自动打开，并无条件启用写保护，以防止数据损坏。NV SRAM可以取代现有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字节宽24引脚DIP标准。DS1220Y还与2716 EPROM或2816 EEPROM的引脚匹配，允许直接替换，同时提高性能。对可执行的写入周期的数量没有限制，并且微处理器接口不需要额外的支持电路。
 
 
 
DS1220Y-150  的特征
●在没有外部电源的情况下，至少保留10年数据
●数据在断电期间自动受到保护
●直接取代2k x 8易失性静态RAM或EEPROM
●无限写入周期
●低功耗CMOS
●JEDEC标准24引脚DIP封装
●读写访问时间为100纳秒
●全±10%工作范围
●可选工业温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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