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- WINBOND/华邦
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FQU20N06 60V N沟道MOSFET
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这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有技术生产的，平面条纹、DMOS技术。
这项先进的技术专为最小化导通电阻，提供卓越的切换性能，并在雪崩和换向模式。这些设备很好适用于汽车、直流等低压应用/直流转换器和高效电源开关便携式和电池供电产品的管理。
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MMBF4392 的特性
•16.8A，60V，RDS（开）=0.063Ω @ VGS=10伏
•低栅极电荷（典型11.5 nC）
•低Crss（典型25 pF）
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv/dt功能
•最高结温额定值150oC
MMBF4392 的说明
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有技术生产的，平面条纹、DMOS技术。
这项先进的技术专为最小化导通电阻，提供卓越的切换性能，并在雪崩和换向模式。这些设备很好适用于汽车、直流等低压应用/直流转换器和高效电源开关便携式和电池供电产品的管理。
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