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FDN337N N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管
FDN337N N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管
SuperSOT™-3个N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合最小化通态电阻。这些设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，在这些电路中，在非常小的外形表面贴装封装中需要快速切换和低在线功耗。
价格: ￥2.000 - ￥3.000
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>=1000 ￥2.00 ￥1
        
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FDN337N 的特性
■2.2 A，30 V
▲R-DS（开）=0.065Ω @ V-GS=4.5 V
▲R-DS（开）=0.082Ω @ V-GS=2.5 V。
■使用专有SuperSOT的行业标准轮廓SOT-23表面安装封装™-3设计具有优越的热性能和电气性能。
■超低R-DS（ON）的高密度电池设计
■卓越的导通电阻和最大直流电流能力
 
 
FDN337N 的说明
SuperSOT™-3个N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合最小化通态电阻。这些设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，在这些电路中，在非常小的外形表面贴装封装中需要快速切换和低在线功耗。
 
 
 
FDN337N 的特性
■2.2 A，30 V
▲R-DS（开）=0.065Ω @ V-GS=4.5 V
▲R-DS（开）=0.082Ω @ V-GS=2.5 V。
■使用专有SuperSOT的行业标准轮廓SOT-23表面安装封装™-3设计具有优越的热性能和电气性能。
■超低R-DS（ON）的高密度电池设计
■卓越的导通电阻和最大直流电流能力
 
 
FDN337N 的说明
SuperSOT™-3个N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合最小化通态电阻。这些设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，在这些电路中，在非常小的外形表面贴装封装中需要快速切换和低在线功耗。
 
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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