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HY628100BLLG-70 高性能的SRAM芯片 SOP32 蓝信伟业
HY628100BLLG-70 高性能的SRAM芯片 SOP32 蓝信伟业
HY628100BLLG-70 高性能的SRAM芯片 SOP32 蓝信伟业
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HY628100BLLG-70特征：
采用高速 CMOS 技术制造，访问时间仅为 70ns，可实现快速数据读写操作。支持 2.3V 至 3.6V 的宽电压范围，适用性强。具备低功耗设计，待机模式下电流消耗仅 10mA。封装形式为 54 引脚 TSOP，符合行业标准封装尺寸，便于 PCB 布局和自动化组装。工作温度范围为 - 40°C 至 + 85°C，适合在工业级环境中稳定运行，且内部采用先进的电路设计，抗干扰能力良好，能够在复杂电磁环境中保持数据的完整性与稳定性，无需刷新电路，简化了系统设计。
 
HY628100BLLG-70概述
HY628100BLLG-70 是一款高性能的 SRAM 芯片，它结合了高速读写能力、宽电压工作范围、低功耗等优点，采用先进的 CMOS 技术制造，能为用户提供稳定可靠的数据存储性能。
 
HY628100BLLG-70参数：
容量为 128K x 8 位，最大访问时间为 70ns，引脚数为 54，读取电流最大为 160mA，待机电流最大为 10mA，封装尺寸为 5.0mm x 10.0mm。
 
应用场景：
▲广泛应用于需要高速、低功耗数据存储的电子设备中，如工业控制系统、网络通信设备、测试与测量仪器、嵌入式系统以及便携式电子设备等。在嵌入式微控制器系统中，可作为高速缓存或临时数据存储器使用；在通信模块中，可用于缓冲数据包和临时数据处理；此外，也适用于汽车电子系统，如车载导航系统、远程信息处理系统等。
 
HY628100BLLG-70特征：
采用高速 CMOS 技术制造，访问时间仅为 70ns，可实现快速数据读写操作。支持 2.3V 至 3.6V 的宽电压范围，适用性强。具备低功耗设计，待机模式下电流消耗仅 10mA。封装形式为 54 引脚 TSOP，符合行业标准封装尺寸，便于 PCB 布局和自动化组装。工作温度范围为 - 40°C 至 + 85°C，适合在工业级环境中稳定运行，且内部采用先进的电路设计，抗干扰能力良好，能够在复杂电磁环境中保持数据的完整性与稳定性，无需刷新电路，简化了系统设计。
 
HY628100BLLG-70概述
HY628100BLLG-70 是一款高性能的SRAM芯片，它结合了高速读写能力、宽电压工作范围、低功耗等优点，采用先进的 CMOS 技术制造，能为用户提供稳定可靠的数据存储性能。
 
HY628100BLLG-70参数：
容量为 128K x 8 位，最大访问时间为 70ns，引脚数为 54，读取电流最大为 160mA，待机电流最大为 10mA，封装尺寸为 5.0mm x 10.0mm。
 
应用场景：
▲广泛应用于需要高速、低功耗数据存储的电子设备中，如工业控制系统、网络通信设备、测试与测量仪器、嵌入式系统以及便携式电子设备等。在嵌入式微控制器系统中，可作为高速缓存或临时数据存储器使用；在通信模块中，可用于缓冲数据包和临时数据处理；此外，也适用于汽车电子系统，如车载导航系统、远程信息处理系统等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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