- 电子元件
- JRC/新日本无线
- JSCJ/长晶
- ST/意法半导体
- TI/德州
- MAXIM/美信
- I-CORE/中微爱芯
- ISD/华邦
- INFINEON/英飞凌/IR
- ADI/亚德诺
- ST/先科
- ROHM/罗姆
- PULS/巨华
- WINBOND/华邦
- MURATA/村田
- TMTECH/凯鈺
- FSC/仙童
- ON/安森美
- UTC/友顺/友旺
- NXP/恩智浦
- TOSHIBA/东芝
- CRMICRO/华润华晶微
- SGMICRO/圣邦微
- JINGDAO/晶导微
- DIODES/美台
- WINBOND/华邦
- MICROCHIP/微芯
- CHIPSTAR/智浦欣
- PHILIPS/飞利浦
- LRC/乐山
- RENESAS/瑞萨
- MICROCHIP/微芯
- GD/兆易创新
- 二三极管
- 电容
- 电阻
- 电解电容
- 插件电解电容
- 电感
- 晶振
- MIC/国产
- 磁珠
- NO/国产中性
- 其他品牌①
- IMP/日银
- EVERLIG/亿光
- MICRONE/微盟
- LOWPOWER/微源
- QX/泉芯
- SGM/圣邦微
- XLSEMI/上海芯龙
- PANASONIC/松下
- ATMEL/爱特梅尔
- NEC/日电
- XYSEMI/赛芯微
- STC/宏晶
- SANKEN/三肯
- NS/国半
- SILAN/士兰微
- AVAGO/安华高
- SILICON/矽映
- UMW友台
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- MIXIC/中科芯亿达
- NUVOTON/新唐
- ALLIANCE/联盟半导体
- COILCRAFT/线艺
- SONGLE/松乐
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- SANKEN/三肯
- PTC/台湾普诚
- MPS/美国芯源
- SONIX/松翰
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- BELLING/上海贝岭
- HEXIN/禾芯微
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- PTC/普诚
- 北陆
- HOTCHIP/华芯邦
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- EMMICRO/微电子
- SEP/国产
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- 台产
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- JST/日压
- SKYWORKS/思佳讯
- ORIENT/奥伦德
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- UNION英联
- 华晶品牌
- 风华
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- ICSI/台湾矽成积体
- ABRACON/艾博康
- ISSI/芯成
- HEXIN/禾芯微
- HRS/日本广濑
- SUNTO尚途
- SOLOMON/晶门
- SK/森浦科
- ISSI/芯成
- HLF/洪利发
- 其他品牌②
- YXC/扬兴
- APLUS/巨华
- AOS/美国万代
- SANYO/三洋
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- HLF/洪利发
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- HOKURIKU/北陆
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- SILAN/士兰微
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- AVAGO/安华高
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- MOSPEC/统懋
- CIRRUS LOGIC/凌云
- SM明微
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- THINE/塞恩
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- AMS/艾迈斯
- SONIX/松翰
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- AOS/万代
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- SILERGY/矽力杰
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- RUICHIPS/锐骏
- CHIPOWN/芯朋微
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- XINLUDA信路达
- HTC/韩国泰进
- SINOPOWER/大中
- ASM/赛腾微
- JDT/集电通
- MITSUBISHI/三菱
- WST/新硅
- MICREL/麦瑞
- HAOYU/昊昱
- 帕沃英蒂格盛
- SILIKRON/硅能
- IXYS/艾赛斯
- STARSEA/星海
- MICRON/美光
- HK/航顺
- WOLFSON/欧胜微
- TONTEK通泰
- NATLINEAR/南麟
- SHINDENGEN/新电元
- CATALYST/美商凯特利
- EON/宜扬
- SHOUDING/首鼎
- APT/晶科电子
- 3PEAK/思瑞浦
- DIODES/美台
- ROYALOHM/厚声
- KSD/国产
- WEEN/瑞能
- MATSUKI/松木
- QUINTIC/昆天
- MEGAWIN/笙泉
- LITTELFUSE/力特
- KTMICRO/昆腾微
- EPCOS/爱普科斯
- RUBYCON/红宝石
- SKHYNIX/海力士
- HSMC/华昕
- TECHCODE/泰德
- SEMITEH/胜敏特
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- TSC/台湾半导体
- TECHCODE/泰德
- MENTECH/铭普光磁
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- CHIPLINK/芯联
- HY/华羿微
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- FUJITSU/富士通
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- CHIPSTAR/智浦欣
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- HK/汇科
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- SENSORTEK/昇佳
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- GXCAS/中科银河芯
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- LRC/乐山
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- SEMITEH/胜敏特
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- RENESAS/瑞萨
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- PANCHANG/磐昌
- HTC韩国泰进
- MDD/辰达行
- FM/复旦微
- MCC/美微科
- EG/屹晶微
- AMS/美国奥地利微
- NTC/航臣
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- KIWI/必易微
- JOULWATT/杰华特
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- BORN/伯恩半导体
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- TE/泰科
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- FMD/辉芒微
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- HDSC/华大半导体
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- WURTH/伍尔特
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- LELON/台湾立隆
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1N60G-AA3-R 1.2A ， 600V N沟道功率
1N60G-AA3-R 1.2A ， 600V N沟道功率
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1N60G-AA3-R特征：
●UTC 1N60是一款高压MOSFET，
●旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低门充电，低导通电阻
●具有高坚固性雪崩特征
●这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机中的高速开关应用控制
●高效DC到DC转换器和桥式电路。
1N60G-AA3-R特征：
●UTC 1N60是一款高压MOSFET，
●旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低门充电，低导通电阻
●具有高坚固性雪崩特征
●这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机中的高速开关应用控制
●高效DC到DC转换器和桥式电路。
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传真:+86-755-83687442
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