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STW60N10 N沟道1050 V，0.110欧姆典型值。，ISOTOP封装中的46 A MDmesh DK5功率MOSFET
STW60N10 N沟道1050 V，0.110欧姆典型值。，ISOTOP封装中的46 A MDmesh DK5功率MOSFET
这种超高电压N-沟道功率MOSFET是MDmesh™DK5快速恢复二极管系列的一部分。MDmesh™ DK5 结合非常低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间(trr)，在RDS(on) * 面积上进行了出色的改进，开关行为表现高效，非常适合半桥和全桥转换器。
价格: ￥12.000 - ￥13.000
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1-49 ￥13.00 ￥0
50-99 ￥12.50 ￥0.5
>=100 ￥12.00 ￥1
        
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STW60N10特征
●快速恢复体二极管
●出色的 RDS(on) x 面积
●低栅极电荷、输入电容和电阻
●经过100％雪崩测试
●非常高的dv / dt耐用性
 
 
STW60N10说明
这种超高电压N-沟道功率MOSFET是MDmesh™DK5快速恢复二极管系列的一部分。MDmesh™ DK5 结合非常低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间(trr)，在RDS(on) * 面积上进行了出色的改进，开关行为表现高效，非常适合半桥和全桥转换器。
 
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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