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ME50P06 一款P沟道功率MOSFET TO252 蓝信伟业
ME50P06 一款P沟道功率MOSFET TO252 蓝信伟业
ME50P06  一款P沟道功率MOSFET TO252 蓝信伟业
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ME50P06特征
采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产，这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻，可在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。
 
ME50P06概述
ME50P06 是一款 P 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，能够在低电压应用中实现高效的功率转换和控制，且其 TO-252-2L 封装形式便于在电路板上进行安装和焊接，适用于空间有限的电路设计。
 
ME50P06参数：
漏源电压（Vdss）为 - 60V，连续漏极电流（Id）为 - 50A 或 - 61A，导通电阻（RDS (on)）小于 18mΩ@VGS=-10V，或 20mΩ@4.5V、14A，栅极电荷量（Qg）为 94nC@10V，输入电容（Ciss）为 4.707nF，反向传输电容（Crss）为 336pF，输出电容（Coss）为 373pF，栅极 - 源极电压（Vgs）为 ±20V，封装形式为 TO-252-2L。
 
应用场景：
▲主要应用于笔记本电源管理、DC/DC 转换器、负载开关、LCD 显示逆变器等领域，也可用于其他需要低电压、高电流控制的电池供电电路中。
 
ME50P06特征
采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产，这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻，可在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。
 
ME50P06概述
ME50P06 是一款P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，能够在低电压应用中实现高效的功率转换和控制，且其 TO-252-2L 封装形式便于在电路板上进行安装和焊接，适用于空间有限的电路设计。
 
ME50P06参数：
漏源电压（Vdss）为 - 60V，连续漏极电流（Id）为 - 50A 或 - 61A，导通电阻（RDS (on)）小于 18mΩ@VGS=-10V，或 20mΩ@4.5V、14A，栅极电荷量（Qg）为 94nC@10V，输入电容（Ciss）为 4.707nF，反向传输电容（Crss）为 336pF，输出电容（Coss）为 373pF，栅极 - 源极电压（Vgs）为 ±20V，封装形式为 TO-252-2L。
 
应用场景：
▲主要应用于笔记本电源管理、DC/DC 转换器、负载开关、LCD 显示逆变器等领域，也可用于其他需要低电压、高电流控制的电池供电电路中。
 
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