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XP152A12COMR 一款功率MOSFET SOT23 蓝信伟业
XP152A12COMR 一款功率MOSFET SOT23 蓝信伟业
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XP152A12COMR特征：
P 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻、超高速开关特性，内置栅极保护二极管，采用 SOT-23 封装，符合欧盟 RoHS 标准。
 
XP152A12COMR概述
是特瑞仕（TOREX）公司的一款功率 MOSFET，其超高速开关特性可使 IC 高效设置，从而节省能源。
 
XP152A12COMR参数：
输当 Vgs=-4.5V 时，Rds (on)=0.3Ω；当 Vgs=-2.5V 时，Rds (on)=0.5Ω，漏源电压 Vdss 为 - 20V，栅源电压 Vgss 为 ±12V，漏极电流 Id 为 - 0.7A，脉冲漏极电流 Idp 为 - 2.8A，通道功耗 Pd 为 0.5W。
 
应用场景：
▲适用于笔记本电脑、手机等便携式电子设备的电源管理，以及锂离子电池系统等。
 
 
XP152A12COMR特征：
P 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻、超高速开关特性，内置栅极保护二极管，采用 SOT-23 封装，符合欧盟 RoHS 标准。
 
XP152A12COMR概述
是特瑞仕（TOREX）公司的一款功率MOSFET，其超高速开关特性可使 IC 高效设置，从而节省能源。
 
XP152A12COMR参数：
输当 Vgs=-4.5V 时，Rds (on)=0.3Ω；当 Vgs=-2.5V 时，Rds (on)=0.5Ω，漏源电压 Vdss 为 - 20V，栅源电压 Vgss 为 ±12V，漏极电流 Id 为 - 0.7A，脉冲漏极电流 Idp 为 - 2.8A，通道功耗 Pd 为 0.5W。
 
应用场景：
▲适用于笔记本电脑、手机等便携式电子设备的电源管理，以及锂离子电池系统等。
 
 
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传真:+86-0755-83687442
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