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BSS138 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，220mA
BSS138 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，220mA
这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
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BSS138特征：
●0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5 Ω @ VGS = 10 V. RDS(ON) = 6.0 Ω @ VGS = 4.5 V
●高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
●稳固可靠
●紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装
 
BSS138说明：
这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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