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FDA59N30 N 沟道 UniFETTM MOSFET
FDA59N30 N 沟道 UniFETTM MOSFET
FDA59N30  N 沟道 UniFETTM MOSFET
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FDA59N30 的特性
■RDS（on）=47 mΩ（典型值）@VGS=10 V，ID=29.5 A
■低栅极电荷（典型值77 nC）
■低Crss（典型80 pF）
■100%雪崩测试

 
FDA59N30 的说明
FDA59N30  N 沟道 UniFETTM MOSFET
FDA59N30 的特性
■RDS（on）=47 mΩ（典型值）@VGS=10 V，ID=29.5 A
■低栅极电荷（典型值77 nC）
■低Crss（典型80 pF）
■100%雪崩测试

 
FDA59N30 的说明
FDA59N30  N 沟道 UniFETTM MOSFET
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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