- 电子元件
- JRC/新日本无线
- JSCJ/长晶
- ST/意法半导体
- TI/德州
- MAXIM/美信
- I-CORE/中微爱芯
- ISD/华邦
- INFINEON/英飞凌/IR
- ADI/亚德诺
- ST/先科
- ROHM/罗姆
- PULS/巨华
- WINBOND/华邦
- MURATA/村田
- TMTECH/凯鈺
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- ON/安森美
- UTC/友顺/友旺
- NXP/恩智浦
- TOSHIBA/东芝
- CRMICRO/华润华晶微
- SGMICRO/圣邦微
- JINGDAO/晶导微
- DIODES/美台
- WINBOND/华邦
- MICROCHIP/微芯
- CHIPSTAR/智浦欣
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- RENESAS/瑞萨
- MICROCHIP/微芯
- GD/兆易创新
- 二三极管
- 电容
- 电阻
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- 插件电解电容
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- MIC/国产
- 磁珠
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- 其他品牌①
- IMP/日银
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- MICRONE/微盟
- LOWPOWER/微源
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- SGM/圣邦微
- XLSEMI/上海芯龙
- PANASONIC/松下
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- XYSEMI/赛芯微
- STC/宏晶
- SANKEN/三肯
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- SILAN/士兰微
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- SILICON/矽映
- UMW友台
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- MIXIC/中科芯亿达
- NUVOTON/新唐
- ALLIANCE/联盟半导体
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- SANKEN/三肯
- PTC/台湾普诚
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- BELLING/上海贝岭
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- AOS/万代
- PTC/普诚
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- HOTCHIP/华芯邦
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- EMMICRO/微电子
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- ORIENT/奥伦德
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- ISSI/芯成
- HEXIN/禾芯微
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- SOLOMON/晶门
- SK/森浦科
- ISSI/芯成
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- 其他品牌②
- YXC/扬兴
- APLUS/巨华
- AOS/美国万代
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- HLF/洪利发
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- SILAN/士兰微
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- MOSPEC/统懋
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- GOFORD/谷峰
- LELON/台湾立隆
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FDA69N25 N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V，69A，41mΩ
FDA69N25 N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V，69A，41mΩ
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
价格: ￥13.000 - ￥14.000
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FDA69N25特征：
●RDS(on) = 41mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 34.5A
●低栅极电荷（典型值 77nC）
●低Crss（典型值 84pF）
FDA69N25说明：
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
电话:+86-0755-84196189
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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