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FDP047N08 N 沟道功率沟槽® MOSFET
FDP047N08 N 沟道功率沟槽® MOSFET
这个N−沟道MOSFET是利用半导体先进的功率沟道技术生产的® 为最大限度地减少−状态电阻，同时保持优越的开关性能。
价格: ￥12.000 - ￥13.000
库存: 35469
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1-49 ￥13.00 ￥0
50-99 ￥12.50 ￥0.5
>=100 ￥12.00 ￥1
        
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FDP047N08 的特性
■R-DS（开）=3.8mΩ( 典型值），V-GS=10V，I-D=80A
■开关速度快
■低门电荷
■用于极低R-DS（on）的高性能沟槽技术
■高功率和电流处理能力
■符合RoHS
 
FDP047N08 的说明
这个N−沟道MOSFET是利用半导体先进的功率沟道技术生产的® 为最大限度地减少−状态电阻，同时保持优越的开关性能。
FDP047N08 的特性
■R-DS（开）=3.8mΩ( 典型值），V-GS=10V，I-D=80A
■开关速度快
■低门电荷
■用于极低R-DS（on）的高性能沟槽技术
■高功率和电流处理能力
■符合RoHS
 
FDP047N08 的说明
这个N−沟道MOSFET是利用半导体先进的功率沟道技术生产的® 为最大限度地减少−状态电阻，同时保持优越的开关性能。
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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