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FQA70N10 功率场效应管 N 沟道
FQA70N10 功率场效应管 N 沟道
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用专有的平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
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FQA70N10 的特性
■70A，100VRDS（开启）=23mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=35A
■低栅极电荷（典型85nC）
■低CRS（典型150pF）
■100%雪崩测试
■175°C最大连接温度额定值
 
 
FQA70N10 的说明
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用专有的平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQA70N10 的特性
■70A，100VRDS（开启）=23mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=35A
■低栅极电荷（典型85nC）
■低CRS（典型150pF）
■100%雪崩测试
■175°C最大连接温度额定值
 
 
FQA70N10 的说明
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用专有的平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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