IRFB4020PBF 采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道数字音频功率 MOSFET
IRFB4020PBF 采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道数字音频功率 MOSFET
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器
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IRFB4020PBF特征
●行业标准通孔电源封装
●高额定电流
●符合 JEDEC 标准的产品认证
●为低于 <100 kHz 的应用开关而优化的硅
●与上一代硅相比,体二极管更软
●提供广泛的产品组合
●标准引出线允许更换
●大电流承载能力封装
●行业标准资质等级
●低频应用中的高性能
●提高功率密度
●使设计人员能够灵活地为其应用选择最佳器件
 
IRFB4020PBF说明
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。
 
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传真:+86-0755-83687442
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