AO4435 低功耗功率MOSFET SOP8 蓝信伟业

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AO4435特征：

P 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，快速开关速度，采用 SOT-23 封装，适合低电压应用。

AO4435概述

Alpha & Omega Semiconductor 生产的低功耗功率 MOSFET，导通损耗小，适合作为负载开关或低压电源转换。

AO4435参数：

漏源电压 Vdss=-30V，连续漏极电流 Id=-8A，导通电阻 RDS (on)≤30mΩ（VGS=-10V），栅源电压 Vgs=±12V，功率耗散 3W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲笔记本电脑电源管理、DC/DC 转换器、电池保护电路、负载开关、便携式电子设备的电源控制。

AO4435特征：

P 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，快速开关速度，采用 SOT-23 封装，适合低电压应用。

AO4435概述

Alpha & Omega Semiconductor 生产的低功耗功率MOSFET，导通损耗小，适合作为负载开关或低压电源转换。

AO4435参数：

漏源电压 Vdss=-30V，连续漏极电流 Id=-8A，导通电阻 RDS (on)≤30mΩ（VGS=-10V），栅源电压 Vgs=±12V，功率耗散 3W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲笔记本电脑电源管理、DC/DC 转换器、电池保护电路、负载开关、便携式电子设备的电源控制。

电话:+86-0755-84196189

传真:+86-0755-83687442

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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