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TPS79933DDCR 具有低噪声和使能功能的 200mA、低 IQ、低压降稳压器
TPS79933DDCR 具有低噪声和使能功能的 200mA、低 IQ、低压降稳压器
TPS79933DDCR的说明
TPS799 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。仅消耗 40µA（典型值）接地电流，同时具备高电源抑制比 (PSRR)，低噪声，快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应特性。

TPS799 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 200mA 电流时产生 100mV 的典型压降。TPS799 使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总精度
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TPS79933DDCR的特性
●带有使能 (EN) 引脚的 200mA 低压降稳压器
●提供了多个输出电压版本：
●1.2 V 至 4.5 V 固定输出
●1.20 V 至 6.5 V 可调节输出
●带有 EN 切换的涌入电流保护
●低 IQ：40µA
●高 PSRR：
●1kHz 时为 66dB
●10kHz 时为 51dB
●与一个低 ESR、2µF（典型值）输出电容一同工作时保持稳定
●出色的负载和线路瞬态响应
●整体精度（负载、线路和温度）为 2%
●超低压降：100mV
●封装：
●5 凸点，薄型，0.97mm × 1.34mm DSBGA
●5 引脚 SOT-23-THIN
●6 引脚 WSON
 
TPS79933DDCR的说明
TPS799 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。仅消耗 40µA（典型值）接地电流，同时具备高电源抑制比 (PSRR)，低噪声，快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应特性。
 
TPS799 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 200mA 电流时产生 100mV 的典型压降。TPS799 使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总精度。当 EN 切换被用于启动此器件时，TPS799 特有涌入电流保护功能可立即钳制电流。
 
该器件的额定工作温度范围为 TJ = -40°C 至 +125°C，采用扁平裸片尺寸球栅阵列 (DSBGA) 封装，因此适用于无线手持终端和 WLAN 卡。该器件还采用 5 引脚 SOT-23-THIN 和 6 引脚 WSON 封装。
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