ZXMN10B08E6TA 100V N沟道增强型MOSFET
ZXMN10B08E6TA 100V N沟道增强型MOSFET
这种MOSFET采用独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。
价格: ¥2.300 - ¥2.500
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ZXMN10B08E6TA 的说明
这种MOSFET采用独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。
 
 
ZXMN10B08E6TA 的特性
■低导通电阻
■快速开关速度
■低阈值
■低栅极驱动
■SOT26封装
■完全无铅,完全符合RoHS标准
■无卤素和锑。“绿色”装置
■符合AEC-Q101高可靠性标准
 
ZXMN10B08E6TA 的说明
这种MOSFET采用独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。
 
 
ZXMN10B08E6TA 的特性
■低导通电阻
■快速开关速度
■低阈值
■低栅极驱动
■SOT26封装
■完全无铅,完全符合RoHS标准
■无卤素和锑。“绿色”装置
■符合AEC-Q101高可靠性标准
 
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