SVF12N65F N沟道增强型功率MOSFET TO220F 蓝信伟业

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SVF12N65F特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 F-Cell™平面高压 VDMOS 工艺，TO-220F-3L 封装，低导通电阻，开关速度快，高压耐受性强，散热性能优异。

SVF12N65F概述

士兰微电子推出的高压功率器件，专为高压大电流场景设计，导通损耗小，开关响应迅速，可靠性高。

SVF12N65F基本参数

漏源电压 650V，连续漏极电流 12A，导通电阻 RDS (on)≤0.55Ω（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 120W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲开关电源、逆变器、变频器的功率开关单元，工业控制高压驱动电路，新能源设备功率转换模块，家电（空调、冰箱）高压供电电路。

SVF12N65F特征：

N沟道增强型功率MOSFET，采用 F-Cell™平面高压 VDMOS 工艺，TO-220F-3L 封装，低导通电阻，开关速度快，高压耐受性强，散热性能优异。

SVF12N65F概述

士兰微电子推出的高压功率器件，专为高压大电流场景设计，导通损耗小，开关响应迅速，可靠性高。

SVF12N65F基本参数

漏源电压 650V，连续漏极电流 12A，导通电阻 RDS (on)≤0.55Ω（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 120W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲开关电源、逆变器、变频器的功率开关单元，工业控制高压驱动电路，新能源设备功率转换模块，家电（空调、冰箱）高压供电电路。

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