DS1210+ 非易失控制器芯片
DS1210+ 非易失控制器芯片
DS1210+的说明
DS1210非易失性控制器芯片是一种CMOS电路,解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否超出容差条件。当检测到这种情况时,芯片使能被禁止以实现写保护,并且电池被接通以向RAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺,以极低的电池功耗提供精确的电压检测。8引脚DIP封装将PC板的面积要求降至最低。通过将DS1210非易失性控制器芯片与CMOS存储器和电池相结合,可以实现非易失性RAM操作。
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DS1210+的特性
●将CMOS RAMs转换为非易失性存储器
●当VCC超差时,无条件写保护
●断电时自动切换到电池供电
●节省空间的8引脚PDIP或16引脚SO封装
●消耗不到100nA的电池电流
●通电时测试电池状况
●提供冗余电池
●可选的5%或10%电源故障检测
●VCC开关上的低正向压降
●可选工业(N)温度范围为-40°C至+85°C
 
DS1210+的说明
DS1210非易失性控制器芯片是一种CMOS电路,解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否超出容差条件。当检测到这种情况时,芯片使能被禁止以实现写保护,并且电池被接通以向RAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺,以极低的电池功耗提供精确的电压检测。8引脚DIP封装将PC板的面积要求降至最低。通过将DS1210非易失性控制器芯片与CMOS存储器和电池相结合,可以实现非易失性RAM操作。
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