热销产品
查看更多 >>
首页产品大全ON/安森美
FDH45N50F 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，45 A，120 mΩ，TO-247
FDH45N50F 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，45 A，120 mΩ，TO-247
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET® MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统
价格: ￥60.000 - ￥61.000
库存: 18477
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-49 ￥61.00 ￥0
50-99 ￥60.50 ￥0.5
>=100 ￥60.00 ￥1
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
FDH45N50F的特征
●RDS(on) = 120mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 22.5A
●低栅极电荷（典型值 105nC）
●低 Crss（典型值 62pF）
●100% 经过雪崩击穿测试
●提高了 dv/dt 处理能力
 
FDH45N50F的说明
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET® MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
 
电话:+86-0755-83681378
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！
为您推荐