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FDPF7N60NZ N 沟道联合场效应管™ II MOSFET
FDPF7N60NZ N 沟道联合场效应管™ II MOSFET
UniFET公司™ II MOSFET是Fairchild Semiconductor®的高压MOSFET系列，基于先进的平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还提供了优越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视功率、ATX和电子灯镇流器。
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FDPF7N60NZ 的特性
■R-DS（on）=1.05Ω（典型值）@V-GS=10 V，I-D=3.25 A
■低栅极电荷（典型13 nC）
■ 低C-rss（典型7 pF）
■ 100%雪崩测试
■ 改进的dv/ dt能力
■ ESD改进能力
■ 符合RoHS
 
FDPF7N60NZ 的说明
UniFET公司™ II MOSFET是Fairchild Semiconductor®的高压MOSFET系列，基于先进的平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还提供了优越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视功率、ATX和电子灯镇流器。
FDPF7N60NZ 的特性
■R-DS（on）=1.05Ω（典型值）@V-GS=10 V，I-D=3.25 A
■低栅极电荷（典型13 nC）
■ 低C-rss（典型7 pF）
■ 100%雪崩测试
■ 改进的dv/ dt能力
■ ESD改进能力
■ 符合RoHS
 
FDPF7N60NZ 的说明
UniFET公司™ II MOSFET是Fairchild Semiconductor®的高压MOSFET系列，基于先进的平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还提供了优越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视功率、ATX和电子灯镇流器。
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