UniFETTM II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 这种先进的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的导通电阻，还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV HBM的浪涌应力。 该器件系列适用于功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）TV电源、ATX和电子灯镇流器等开关电源转换器应用。