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FDP5N60NZ 高压开关类器件 TO220 蓝信伟业
FDP5N60NZ 高压开关类器件 TO220 蓝信伟业
UniFETTM II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。 这种先进的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的导通电阻，还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部栅极源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV HBM的浪涌应力。 该器件系列适用于功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）TV电源、ATX和电子灯镇流器等开关电源转换器应用。
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FDP5N60NZ特征：
作为高压N沟道功率MOSFET，具有高耐压、高增益特性，高频响应稳定，采用 TO-220 封装，散热性能较好，便于通过散热器进一步提升散热能力。
 
FDP5N60NZ概述：
属于高压开关类器件，导通损耗较低，适合高频开关工况，是高压电子电路中实现能量转换和开关控制的常用元件。
 
FDP5N60NZ参数：
集电极 - 发射极击穿电压 600V，集电极电流 4A，功耗 80W，直流电流增益 15 - 200，过渡频率 3.5MHz。
 
应用场景：
▲广泛应用于开关电源初级侧开关、音频功率放大器输出级、继电器驱动电路、电机控制电路以及固态继电器核心部件。
 
FDP5N60NZ特征：
作为高压N沟道功率MOSFET，具有高耐压、高增益特性，高频响应稳定，采用 TO-220 封装，散热性能较好，便于通过散热器进一步提升散热能力。
 
FDP5N60NZ概述：
属于高压开关类器件，导通损耗较低，适合高频开关工况，是高压电子电路中实现能量转换和开关控制的常用元件。
 
FDP5N60NZ参数：
集电极 - 发射极击穿电压 600V，集电极电流 4A，功耗 80W，直流电流增益 15 - 200，过渡频率 3.5MHz。
 
应用场景：
▲广泛应用于开关电源初级侧开关、音频功率放大器输出级、继电器驱动电路、电机控制电路以及固态继电器核心部件。
 
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