SVF4N65F 高压功率开关器件 TO220F 蓝信伟业

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SVF4N65F特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面高压 VDMOS 工艺，低导通电阻，高耐压，TO-220F-3L 封装，散热性能优异，开关速度快。

SVF4N65F概述

士兰微电子生产的高压功率开关器件，导通损耗小，适配中高压、小电流场景，可靠性高，是电源转换与负载驱动的常用元件。

SVF4N65F参数

漏源电压 650V，连续漏极电流 4A，导通电阻 RDS (on)≤1.5Ω（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 50W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲开关电源、逆变器、变频器、家电功率控制（空调、冰箱）、工业控制高压驱动电路、LED 驱动电源。

SVF4N65F特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面高压 VDMOS 工艺，低导通电阻，高耐压，TO-220F-3L 封装，散热性能优异，开关速度快。

SVF4N65F概述

士兰微电子生产的高压功率开关器件，导通损耗小，适配中高压、小电流场景，可靠性高，是电源转换与负载驱动的常用元件。

SVF4N65F参数

漏源电压 650V，连续漏极电流 4A，导通电阻 RDS (on)≤1.5Ω（VGS=10V），栅源电压 ±20V，功率耗散 50W，工作温度 - 55℃~+150℃。

应用场景：

▲开关电源、逆变器、变频器、家电功率控制（空调、冰箱）、工业控制高压驱动电路、LED 驱动电源。

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