GD5F2GQ5UEYIGR NAND闪存芯片 WSON8 蓝信伟业
GD5F2GQ5UEYIGR NAND闪存芯片 WSON8 蓝信伟业
GD5F2GQ5UEYIGR NAND闪存芯片  WSON8 蓝信伟业
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GD5F2GQ5UEYIGR特征:
●为 NAND 闪存芯片,拥有大容量存储能力。
●采用先进的工艺技术,具备较高的读写速度和可靠性。
●支持 ECC(错误校验与纠正)功能,可提高数据存储的准确性。
 
GD5F2GQ5UEYIGR概述:
是大容量的 NAND 闪存芯片,可满足对数据存储容量要求较高的应用场景。
 
GD5F2GQ5UEYIGR参数:
●存储容量为 2Gb(256MB)。
●工作电压范围是 2.7V - 3.6V。
●具备 8 位或 16 位数据接口。
●封装形式为 TSOP48。
 
应用场景:
▲智能手机、平板电脑、数码摄像机、固态硬盘等领域。
 
GD5F2GQ5UEYIGR特征:
●为 NAND 闪存芯片,拥有大容量存储能力。
●采用先进的工艺技术,具备较高的读写速度和可靠性。
●支持 ECC(错误校验与纠正)功能,可提高数据存储的准确性。
 
GD5F2GQ5UEYIGR概述:
是大容量的 NAND 闪存芯片,可满足对数据存储容量要求较高的应用场景。
 
GD5F2GQ5UEYIGR参数:
●存储容量为 2Gb(256MB)。
●工作电压范围是 2.7V - 3.6V。
●具备 8 位或 16 位数据接口。
●封装形式为 TSOP48。
 
应用场景:
▲智能手机、平板电脑、数码摄像机、固态硬盘等领域。
 
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