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2SK3562 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK3562 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK3562
价格: ￥2.500 - ￥3.000
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2SK3562特征：
●低漏源导通电阻:RDS(ON)= 0.9ω(典型值。)
●高正向传输导纳:|Yfs| =5.0S(典型值。)
●低漏电流:IDss=100 μA(VDs=600V)
●增强模式:Vth=2.0~4.0 V (V Ds = 10 V，ID =1 mA)
2SK3562特征：
●低漏源导通电阻:RDS(ON)= 0.9ω(典型值。)
●高正向传输导纳:|Yfs| =5.0S(典型值。)
●低漏电流:IDss=100 μA(VDs=600V)
●增强模式:Vth=2.0~4.0 V (V Ds = 10 V，ID =1 mA)
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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