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IRFL024ZTRPBF 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET
IRFL024ZTRPBF 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET
这种HEXFE T型φ功率MOSFET采用了最新的处理技术达到极低的快速切换速度和改进的重复处理技术达到极低，本设计面积150℃，快速切换速度和改进的重复雪崩等级。这些特性结合在一起使这种设计是一种极为有效和可靠的装置，适用于各种应用场合。
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IRFL024ZTRPBF特征
●先进工艺技术
●超低导通电阻
●150°C工作温度
●快速切换
●允许重复雪崩达Tjmax
●无铅
IRFL024ZTRPBF说明
这种HEXFE T型φ功率MOSFET采用了最新的处理技术达到极低的快速切换速度和改进的重复处理技术达到极低，本设计面积150℃，快速切换速度和改进的重复雪崩等级。这些特性结合在一起使这种设计是一种极为有效和可靠的装置，适用于各种应用场合。
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