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IPB042N10N3G N沟道功率MOSFET TO263 蓝信伟业
IPB042N10N3G N沟道功率MOSFET TO263 蓝信伟业
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案
价格: ￥5.500 - ￥6.500
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IPB042N10N3G特征
●优异的开关性能
●世界较低的 (R Ds(on))
●极低的 Qg 和 Qgd
●出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
●符合 RoHS 标准 - 无卤素
●MSL1 评级 2
●环保
●提高效率
●极高的功率密度
●减少并联
●极低的板空间消耗
●产品易于设计
 
IPB042N10N3G说明
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
 
 
IPB042N10N3G参数
N沟道功率MOSFET，漏源电压 100V，连续漏极电流 4.2A，典型导通电阻 80mΩ，栅极电荷 17nC，工作温度 - 55℃ - 150℃。
 
应用场景：
▲用于开关电源、DC - DC 转换器、电池管理系统的负载切换、家用电器及电动工具的小型电机驱动等。
 
 
IPB042N10N3G特征
●优异的开关性能
●世界较低的 (R Ds(on))
●极低的 Qg 和 Qgd
●出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
●符合 RoHS 标准 - 无卤素
●MSL1 评级 2
●环保
●提高效率
●极高的功率密度
●减少并联
●极低的板空间消耗
●产品易于设计
 
IPB042N10N3G说明
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
 
 
IPB042N10N3G参数
N沟道功率MOSFET，漏源电压 100V，连续漏极电流 4.2A，典型导通电阻 80mΩ，栅极电荷 17nC，工作温度 - 55℃ - 150℃。
 
应用场景：
▲用于开关电源、DC - DC 转换器、电池管理系统的负载切换、家用电器及电动工具的小型电机驱动等。
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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