IPB042N10N3G 为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案
IPB042N10N3G 为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案
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IPB042N10N3G特征
●优异的开关性能
●世界较低的 (R Ds(on))
●极低的 Qg 和 Qgd
●出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
●符合 RoHS 标准 - 无卤素
●MSL1 评级 2
●环保
●提高效率
●极高的功率密度
●减少并联
●极低的板空间消耗
●产品易于设计
 
IPB042N10N3G说明
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。。
 
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