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FQPF10N60C 功率场效应管， N 沟道
FQPF10N60C 功率场效应管， N 沟道
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。 这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
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FQPF10N60C 的特性
■9.5 A，600 V，RDS（开）=730 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=4.75 A
■低栅极电荷（典型44 nC）
■低CRS（典型18 pF）
 
 
FQPF10N60C 的说明
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。 这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
FQPF10N60C 的特性
■9.5 A，600 V，RDS（开）=730 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=4.75 A
■低栅极电荷（典型44 nC）
■低CRS（典型18 pF）
 
 
FQPF10N60C 的说明
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产。 这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
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