MM74HC245AWM
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MM74HC245AWM 的特性
■ 典型传播延迟:13纳秒
■ 宽电源范围:2-6V
■ 低静态电流:最大80μA(74 HC)
■ 连接到总线导向系统的3态输出
■ 高输出驱动:6 mA(最小值)
■ 与645相同
 
 
MM74HC245AWM 的说明
MM74HC245A三态双向缓冲器采用先进的硅栅CMOS技术,用于数据总线之间的双向异步通信。它具有高驱动电流输出,即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。该电路具有通常与CMOS电路相关的低功耗和高抗噪性,但其速度与低功率肖特基TTL电路相当。该设备具有激活的低启用输入G#和方向控制输入DIR。当DIR为高时,数据从a输入流到B输出。当DIR为低时,数据从B输入流到A输出。MM74HC245A将真实数据从一条总线传输到另一条总线。该设备可以驱动多达15个LS-TTL负载,并且没有施密特触发器输入。保护所有输入免受二极管对V CC和接地的静电放电造成的损坏。
 
MM74HC245AWM 的特性
■ 典型传播延迟:13纳秒
■ 宽电源范围:2-6V
■ 低静态电流:最大80μA(74 HC)
■ 连接到总线导向系统的3态输出
■ 高输出驱动:6 mA(最小值)
■ 与645相同
 
 
MM74HC245AWM 的说明
MM74HC245A三态双向缓冲器采用先进的硅栅CMOS技术,用于数据总线之间的双向异步通信。它具有高驱动电流输出,即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。该电路具有通常与CMOS电路相关的低功耗和高抗噪性,但其速度与低功率肖特基TTL电路相当。该设备具有激活的低启用输入G#和方向控制输入DIR。当DIR为高时,数据从a输入流到B输出。当DIR为低时,数据从B输入流到A输出。MM74HC245A将真实数据从一条总线传输到另一条总线。该设备可以驱动多达15个LS-TTL负载,并且没有施密特触发器输入。保护所有输入免受二极管对V CC和接地的静电放电造成的损坏。
 
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