UMX1NTN NPN 复合管 封装SOT363 蓝信伟业
UMX1NTN NPN 复合管 封装SOT363 蓝信伟业
UMX1NTN
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UMX1NTN   NPN 复合管   封装SOT363    蓝信伟业
 
特征:
●双管独立:内部 2 个 NPN,互不干扰,等效 2SC2412K×2罗姆半导体集团
●高增益:hFE=120~560(@1mA,6V),放大能力强
●高频特性:fT=180MHz,适合 RF / 中频电路
●耐压 / 电流:VCEO=50V,IC=150mA,满足低压中功率需求罗姆半导体集团
●低饱和压降:VCE (sat)≤400mV(@50mA),开关损耗小
●高可靠:-55℃~+150℃,RoHS 合规
 
说明:
UMX1NTN 是罗姆 UMX1N 系列超小型双 NPN 复合管,采用硅平面工艺,将两个独立 NPN 集成于 SOT-363 封装。体积仅 2.1×2.0mm,替代两个分立 2SC2412K,节省 50% PCB 面积,降低装配成本。两管电气隔离,参数一致性好,适用于消费电子、工业控制、车载与高频电路的放大、开关与振荡场景。
 
参数:
●极性:NPN+NPN(双管独立)罗姆半导体集团
●集电极 - 发射极电压 VCEO:50V罗姆半导体集团
●集电极连续电流 IC:150mA罗姆半导体集团
●集电极 - 基极电压 VCBO:60V
●发射极 - 基极电压 VEBO:7V
●电流增益 hFE:120~560(@1mA,6V)
●增益带宽积 fT:180MHz
●功耗 Pd:150mW
●工作温度:−55℃ ~ +150℃
 
应用场景:
●信号放大:音频前置放大、RF / 中频放大、传感器微弱信号放大
●开关控制:LED 阵列驱动、继电器线圈驱动、MOS 管栅极驱动
●振荡电路:高频晶体振荡器、RC 振荡、正弦波发生器罗姆半导体集团
●电平转换:3.3V↔5V 双向电平转换、接口信号匹配
●逻辑电路:简易与 / 或门、反相器、脉冲整形电路
●工业 / 车载:PLC 模块、车载 ECU、低压工控板、仪器仪表罗姆半导体集团
 
UMX1NTN   NPN 复合管   封装SOT363    蓝信伟业
 
特征:
●双管独立:内部 2 个 NPN,互不干扰,等效 2SC2412K×2罗姆半导体集团
●高增益:hFE=120~560(@1mA,6V),放大能力强
●高频特性:fT=180MHz,适合 RF / 中频电路
●耐压 / 电流:VCEO=50V,IC=150mA,满足低压中功率需求罗姆半导体集团
●低饱和压降:VCE (sat)≤400mV(@50mA),开关损耗小
●高可靠:-55℃~+150℃,RoHS 合规
 
说明:
UMX1NTN 是罗姆 UMX1N 系列超小型双 NPN 复合管,采用硅平面工艺,将两个独立 NPN 集成于 SOT-363 封装。体积仅 2.1×2.0mm,替代两个分立 2SC2412K,节省 50% PCB 面积,降低装配成本。两管电气隔离,参数一致性好,适用于消费电子、工业控制、车载与高频电路的放大、开关与振荡场景。
 
参数:
●极性:NPN+NPN(双管独立)罗姆半导体集团
●集电极 - 发射极电压 VCEO:50V罗姆半导体集团
●集电极连续电流 IC:150mA罗姆半导体集团
●集电极 - 基极电压 VCBO:60V
●发射极 - 基极电压 VEBO:7V
●电流增益 hFE:120~560(@1mA,6V)
●增益带宽积 fT:180MHz
●功耗 Pd:150mW
●工作温度:−55℃ ~ +150℃
 
应用场景:
●信号放大:音频前置放大、RF / 中频放大、传感器微弱信号放大
●开关控制:LED 阵列驱动、继电器线圈驱动、MOS 管栅极驱动
●振荡电路:高频晶体振荡器、RC 振荡、正弦波发生器罗姆半导体集团
●电平转换:3.3V↔5V 双向电平转换、接口信号匹配
●逻辑电路:简易与 / 或门、反相器、脉冲整形电路
●工业 / 车载:PLC 模块、车载 ECU、低压工控板、仪器仪表罗姆半导体集团
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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