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GD25Q256DYIGR 3.3V统一扇区双通道和四通道串行闪存
GD25Q256DYIGR 3.3V统一扇区双通道和四通道串行闪存
GD25Q256D（256M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（保持#/复位#）。双I/O数据以208Mbits/s的速度传输，四I/O和四输出数据以416Mbits/s的速度传输。
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■GD25Q256DYIGR 说明 
GD25Q256D（256M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（保持#/复位#）。双I/O数据以208Mbits/s的速度传输，四I/O和四输出数据以416Mbits/s的速度传输。
■产品名称：TNY278PN
 
■功能名称：双路和四路串行闪存
 
■GD25Q256DYIGR特点：
●256M位串行闪存
●快速编程/擦除速度
-每可编程页256字节
-页面程序时间:典型0.4ms
-扇区擦除时间:70ms典型值
标准、双路、四路SPI
-块擦除时间:0.16/0.22秒
-标准SPI:SCLK,CS#,SI,SO，可湿性粉剂#，保持#/复位#
-芯片擦除时间:典型值70
-双SPI:SCLK、CS#、IO0、I01、可湿性粉剂#、保持#/复位#
-SPI四方:SCLK、CSI、100、101、102、1O3
●灵活的架构
-3或4字节寻址模式
-4K字节的均匀扇区
-32/64K字节的均匀块
●高速时钟频率
-最大104MHz频率，可在3.0-3.6V电源上快速读取低功耗
双I/O数据传输速度高达208 Mbit/s
-1uA典型深度掉电电流
数据传输速度高达416 Mbit/s
-12uA典型待机电流
-最大80MHz，可在2.7-3.6V电源上快速读取
双I/O数据传输速度高达160Mbit/s
数据传输速度高达320 Mbit/s
●高级安全功能
3*2048字节安全寄存器与OTPLo
软件写保护
-128位元唯一识别码
-通过软件写入保护所有/部分内存
-串行闪存可发现参数
-顶部/底部块保护
单电源供电电压
●允许XIP(就地执行)操作
-全电压范围2.7-3.6V
-8/16/32/64字节的连续读取
封装信息-SOP16(骑行耐力和数据保留300mil)
-WSON8 (8*6最少100,000个程序/擦除周期毫米)
-TFBGA-24(5*5球阵列)
-20年数据保留典型
 
■GD25Q256DYIGR概要：
该GD25Q256D(256M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI)，并支持双/四SPl:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SL),1/01(S0)、I/O2(可湿性粉剂#)和I/O3(保持#/复位#)。双I/O数据传输速度为208Mbits/s，四通道I/O&Quad输出数据传输速度为416Mbits/s。
 
 
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