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ISO7841DWR 高隔离额定值、四通道、3/1、增强型数字隔离器
ISO7841DWR 高隔离额定值、四通道、3/1、增强型数字隔离器
ISO7841x 器件是一款高性能四通道数字隔离器，隔离电压为 8000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 时，该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。

该器件配有使能引脚，可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于 高阻抗状态， 也可用于降低功耗。ISO
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ISO7841DWR的特性
 
ISO7841x 器件是一款高性能四通道数字隔离器，隔离电压为 8000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 时，该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。
 
该器件配有使能引脚，可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于 高阻抗状态， 也可用于降低功耗。ISO7841 器件具有 3 个正向通道和 1 个反向通道。如果出现输入功率或信号丢失，ISO7841 器件默认输出高电平，ISO7841F 器件默认输出低电平。有关更多详细信息，请参阅 Device Functional Modes器件功能模式部分。
 
与隔离式电源结合使用时，该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地，进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术，ISO7841 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。
 
ISO7841 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。
 
 
ISO7841DWR的说明
 
●信号传输速率：高达 100Mbps
●宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
●2.25V 至 5.5V 电平转换
●宽温度范围：–55°C 至 +125°C
●低功耗：电流典型值为 1.7mA/通道（1Mbps 时）
●低传播延迟：典型值为 11ns
（5V 电源供电时）
●行业领先的 CMTI（最小值）：±100 kV/µs
●优异的电磁兼容性 (EMC)
●系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
●低辐射
●隔离层寿命：40 年以上
●宽体 SOIC-16 封装和超宽体 SOIC-16 封装选项
●安全及管理批准：中的“安全及管理批准”列表中的“安全及管理批准”列表
●8000 VPK 增强型隔离，符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12
●符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
●CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
●符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证
●符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
●完成了所有 DW 封装认证；完成了符合 UL、VDE、TUV 标准的 DWW 封装认证并且已针对 CSA 和 CQC 进行了规划
 
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