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- WINBOND/华邦
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GT20L16S1Y 20 A、410 V内部钳制IGBT
GT20L16S1Y 20 A、410 V内部钳制IGBT
GT20L16S1Y采用基于专利带状布局的最新高压技术，设计了一系列先进的IGBT，即PowerMESHTM IGBT。内置集电极-栅极齐纳展现出非常精确的有源箝位，而栅极-发射极齐纳提供ESD保护。
价格: ￥1.500 - ￥2.300
库存: 3000
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GT20L16S1Y的特征
●高压箝位特性
●多晶硅栅极电压驱动
●低导通电压降
●低阈值电压
●高电流能力
●低栅极电荷
GT20L16S1Y说明
GT20L16S1Y采用基于专利带状布局的最新高压技术，设计了一系列先进的IGBT，即PowerMESHTM IGBT。内置集电极-栅极齐纳展现出非常精确的有源箝位，而栅极-发射极齐纳提供ESD保护。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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