IS66WV51216EBLL-70TLI 光电二极管内存集成电路
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IS66WV51216EBLL-70TLI特征:
●高速访问时间:
70纳秒(IS66WV51216EALL)
60纳秒(IS66/67WV51216EBLL)
●CMOS低功耗操作
●单电源
VDD = 1.7伏~ 1.95伏(IS66WV51216EALL)
VDD = 2.5V ~ 3.6V(IS66/67wv 51216 ebll)
●三态输出
●高位和低位字节的数据控制
●无铅可用
 
IS66WV51216EBLL-70TLI特征:
●高速访问时间:
70纳秒(IS66WV51216EALL)
60纳秒(IS66/67WV51216EBLL)
●CMOS低功耗操作
●单电源
VDD = 1.7伏~ 1.95伏(IS66WV51216EALL)
VDD = 2.5V ~ 3.6V(IS66/67wv 51216 ebll)
●三态输出
●高位和低位字节的数据控制
●无铅可用
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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