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TPD2EUSB30DRTR 双 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管，具有 5A 浪涌额定值，适用于 USB 3.0
TPD2EUSB30DRTR 双 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管，具有 5A 浪涌额定值，适用于 USB 3.0
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲​​击消散达到 IEC 61000-4-2 国际标准（联系方式）中规定的最高水平。这些器件还提供符合 IEC 61000-4-5（浪涌）规范的 5 A (8/20 µs) 峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 提供低 4.5V 直流击穿电压。低电容、低击穿电压和低动态电阻使 TPD2
价格: ￥4.000 - ￥5.000
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TPD2EUSB30DRTR的特征
●支持 USB 3.0 数据速率 (5 Gbps)
●IEC 61000-4-2 ESD 保护（4 级接触）
●IEC 61000-4-5 浪涌保护
  5 A (8/20 µs)
●低电容
 DRT：0.7 pF（典型值）
 DQA：0.8 pF（典型值）
●动态电阻：0.6 Ω（典型值）
●节省空间的 DRT、DQA 包
●流通引脚映射
 
TPD2EUSB30DRTR说明
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲​​击消散达到 IEC 61000-4-2 国际标准（联系方式）中规定的最高水平。这些器件还提供符合 IEC 61000-4-5（浪涌）规范的 5 A (8/20 µs) 峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 提供低 4.5V 直流击穿电压。低电容、低击穿电压和低动态电阻使 TPD2EUSB30A 成为高速差分 IO 的卓越保护器件。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 采用节省空间的 DRT (1 mm × 1 mm) 封装。TPD4EUSB30 采用节省空间的 DQA (2.5 mm × 1.0 mm) 封装。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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