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SI2343DS-T1-GE3 P 沟道 MOSFET 封装 SOT-23 蓝信伟业
SI2343DS-T1-GE3 P 沟道 MOSFET 封装 SOT-23 蓝信伟业
SI2343DS-T1-GE3
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SI2343DS-T1-GE3      P 沟道 MOSFET          封装 SOT-23     蓝信伟业
 
 
特征：
具有低导通电阻（RDS (ON)），在 VGS = -4.5V、ID = -3.1A 条件下典型值为 80mΩ，能有效降低导通损耗，提高效率；栅极阈值电压低，便于驱动；支持快速开关操作，开关速度快；具备较高的雪崩能量额定值，增强了器件的稳健性和可靠性。
 
 
说明：
SI2343DS-T1-GE3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用先进的沟道技术制造，以小型封装提供了低导通电阻和良好的开关特性。它专为低电压应用优化，能在较小的空间内实现高效的电流控制，是便携式电子设备和低功耗系统中电源管理的理想选择。
 
参数：
漏源电压（VDS）为 - 30V；栅源电压（VGS）为 ±8V；连续漏极电流（ID）在 TA=25℃时为 - 4.3A，在 TA=100℃时为 - 2.7A；脉冲漏极电流（IDM）为 - 17A；导通电阻（RDS (ON)）最大值在 VGS=-10V、ID=-3.1A 时为 100mΩ；栅极电荷（Qg）典型值为 6.5nC；工作结温范围为 - 55℃至 150℃。
 
 
应用场景：
广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、MP3 播放器）的电源管理电路，用于电源切换、负载开关；也可用于笔记本电脑、数码相机等设备的电池保护电路；还适用于低电压 DC-DC 转换器、电机驱动（小型直流电机）以及各种消费电子和工业控制中的开关电路。
 
SI2343DS-T1-GE3      P 沟道 MOSFET          封装 SOT-23     蓝信伟业
 
 
特征：
具有低导通电阻（RDS (ON)），在 VGS = -4.5V、ID = -3.1A 条件下典型值为 80mΩ，能有效降低导通损耗，提高效率；栅极阈值电压低，便于驱动；支持快速开关操作，开关速度快；具备较高的雪崩能量额定值，增强了器件的稳健性和可靠性。
 
 
说明：
SI2343DS-T1-GE3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用先进的沟道技术制造，以小型封装提供了低导通电阻和良好的开关特性。它专为低电压应用优化，能在较小的空间内实现高效的电流控制，是便携式电子设备和低功耗系统中电源管理的理想选择。
 
参数：
漏源电压（VDS）为 - 30V；栅源电压（VGS）为 ±8V；连续漏极电流（ID）在 TA=25℃时为 - 4.3A，在 TA=100℃时为 - 2.7A；脉冲漏极电流（IDM）为 - 17A；导通电阻（RDS (ON)）最大值在 VGS=-10V、ID=-3.1A 时为 100mΩ；栅极电荷（Qg）典型值为 6.5nC；工作结温范围为 - 55℃至 150℃。
 
 
应用场景：
广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、MP3 播放器）的电源管理电路，用于电源切换、负载开关；也可用于笔记本电脑、数码相机等设备的电池保护电路；还适用于低电压 DC-DC 转换器、电机驱动（小型直流电机）以及各种消费电子和工业控制中的开关电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
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