- 电子元件
- JRC/新日本无线
- JSCJ/长晶
- ST/意法半导体
- TI/德州
- MAXIM/美信
- I-CORE/中微爱芯
- ISD/华邦
- INFINEON/英飞凌/IR
- ADI/亚德诺
- ST/先科
- ROHM/罗姆
- PULS/巨华
- WINBOND/华邦
- MURATA/村田
- TMTECH/凯鈺
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- ON/安森美
- UTC/友顺/友旺
- NXP/恩智浦
- TOSHIBA/东芝
- CRMICRO/华润华晶微
- SGMICRO/圣邦微
- JINGDAO/晶导微
- DIODES/美台
- WINBOND/华邦
- MICROCHIP/微芯
- CHIPSTAR/智浦欣
- PHILIPS/飞利浦
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- MICROCHIP/微芯
- GD/兆易创新
- 二三极管
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- 插件电解电容
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- 磁珠
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- 其他品牌①
- IMP/日银
- EVERLIG/亿光
- MICRONE/微盟
- LOWPOWER/微源
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- SGM/圣邦微
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- XYSEMI/赛芯微
- STC/宏晶
- SANKEN/三肯
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- SILAN/士兰微
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- ALLIANCE/联盟半导体
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- SANKEN/三肯
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- HEXIN/禾芯微
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- SOLOMON/晶门
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- ISSI/芯成
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- 其他品牌②
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- AOS/美国万代
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- HLF/洪利发
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- SILAN/士兰微
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- MOSPEC/统懋
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- AOS/万代
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- ASM/赛腾微
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- MITSUBISHI/三菱
- WST/新硅
- MICREL/麦瑞
- HAOYU/昊昱
- 帕沃英蒂格盛
- SILIKRON/硅能
- IXYS/艾赛斯
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- HK/航顺
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- NATLINEAR/南麟
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- EON/宜扬
- SHOUDING/首鼎
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- 3PEAK/思瑞浦
- DIODES/美台
- ROYALOHM/厚声
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- MATSUKI/松木
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- TECHCODE/泰德
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- CHIPSTAR/智浦欣
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- KTMICRO/昆腾微
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- SENSORTEK/昇佳
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- RENESAS/瑞萨
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- NO/国产贴牌东芝
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- SILAN/士兰微
- SOLOMON/晶门
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- AMS/美国奥地利微
- NTC/航臣
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- KIWI/必易微
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SVF18N50F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
SVF18N50F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
SVF18N50F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
价格: ￥2.500 - ￥3.500
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SVF18N50F 的说明
SVF18N50F/T/PN/FJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell™平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
SVF18N50F 的特征
■18A，500V，R-DS(on)(典型值)=0.26Ω@V-GS=10V
■低栅极电荷量
■低反向传输电容
■开关速度快
■提升了 dv/dt 能力
SVF18N50F 的说明
SVF18N50F/T/PN/FJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell™平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
SVF18N50F 的特征
■18A，500V，R-DS(on)(典型值)=0.26Ω@V-GS=10V
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